Silicone Dioxide (Aerosil-200)
All coloring dye which is used for pharmaceuticals chemicals product .
Series :pharmaceuticals chemicals
Click for SDS
Click for Technical Data sheet ( TDS)
Made in Germany.
খাদ্য, প্রসাধনী, এবং ফার্মাসিউটিক্যাল অ্যাপ্লিকেশন
সিলিকা, হয় কোলয়েডাল, প্রিপিটেটেড বা পাইরোজেনিক ফিউমড, খাদ্য উৎপাদনে একটি সাধারণ সংযোজন। এটি প্রাথমিকভাবে একটি ফ্লো বা অ্যান্টি-কেকিং এজেন্ট হিসাবে ব্যবহার করা হয় যেমন মশলা এবং নন-ডেইরি কফি ক্রিমারের মতো গুঁড়ো খাবারে, বা ফার্মাসিউটিক্যাল ট্যাবলেটে তৈরি করা গুঁড়ো। এটি হাইগ্রোস্কোপিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে জল শোষণ করতে পারে। কোলয়েডাল সিলিকা ওয়াইন, বিয়ার এবং জুসের জন্য ফাইনিং এজেন্ট হিসাবে ব্যবহৃত হয়, ই নম্বর রেফারেন্স E551 সহ।
প্রসাধনীতে, সিলিকা তার আলো-বিচ্ছুরণ বৈশিষ্ট্যের জন্য দরকারী [30] এবং প্রাকৃতিক শোষণের জন্য।
ডায়াটোমাসিয়াস আর্থ, একটি খনন পণ্য, শতাব্দী ধরে খাদ্য এবং প্রসাধনীতে ব্যবহৃত হয়ে আসছে। এটি মাইক্রোস্কোপিক ডায়াটমের সিলিকা শেল নিয়ে গঠিত; একটি কম প্রক্রিয়াজাত আকারে এটি "টুথ পাউডার" হিসাবে বিক্রি করা হত।
যেহেতু সিলিকন ডাই অক্সাইড হল সিলিকনের একটি নেটিভ অক্সাইড এটি গ্যালিয়াম আর্সেনাইড বা ইন্ডিয়াম ফসফাইডের মতো অন্যান্য সেমিকন্ডাক্টরের তুলনায় ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
সিলিকন ডাই অক্সাইড একটি সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর পৃষ্ঠে উত্থিত হতে পারে। সিলিকন অক্সাইড স্তরগুলি প্রসারণ প্রক্রিয়ার সময় সিলিকন পৃষ্ঠকে রক্ষা করতে পারে, এবং প্রসারণ মাস্কিংয়ের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে।
সারফেস প্যাসিভেশন এমন একটি প্রক্রিয়া যার মাধ্যমে একটি অর্ধপরিবাহী পৃষ্ঠকে নিষ্ক্রিয় করা হয় এবং স্ফটিকের পৃষ্ঠ বা প্রান্তের সংস্পর্শে থাকা বায়ু বা অন্যান্য পদার্থের সাথে মিথস্ক্রিয়া করার ফলে সেমিকন্ডাক্টরের বৈশিষ্ট্য পরিবর্তন হয় না। একটি তাপীয়ভাবে বেড়ে ওঠা সিলিকন ডাই অক্সাইড স্তরের গঠন সিলিকন পৃষ্ঠে ইলেকট্রনিক অবস্থার ঘনত্বকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। SiO2 ফিল্মগুলি p–n জংশনগুলির বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে সংরক্ষণ করে এবং এই বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিকে বায়বীয় পরিবেষ্টিত পরিবেশের দ্বারা ক্ষয় হতে বাধা দেয়। সিলিকন অক্সাইড স্তর বৈদ্যুতিকভাবে সিলিকন পৃষ্ঠতল স্থিতিশীল করতে ব্যবহার করা যেতে পারে [33] সারফেস প্যাসিভেশন প্রক্রিয়া হল সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির একটি গুরুত্বপূর্ণ পদ্ধতি যাতে একটি সিলিকন ওয়েফারকে সিলিকন অক্সাইডের একটি অন্তরক স্তর দিয়ে আবরণ করা হয় যাতে বিদ্যুৎ নির্ভরযোগ্যভাবে নীচের পরিবাহী সিলিকনে প্রবেশ করতে পারে। একটি সিলিকন ওয়েফারের উপরে সিলিকন ডাই অক্সাইডের একটি স্তর বৃদ্ধি এটিকে পৃষ্ঠের রাজ্যগুলিকে অতিক্রম করতে সক্ষম করে যা অন্যথায় অর্ধপরিবাহী স্তরে পৌঁছাতে বিদ্যুৎকে বাধা দেয়।
তাপ অক্সিডেশন (সিলিকন ডাই অক্সাইড) দ্বারা সিলিকন পৃষ্ঠের নিষ্ক্রিয়করণ প্রক্রিয়া সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। এটি সাধারণত মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFETs) এবং সিলিকন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ (প্ল্যানার প্রক্রিয়া সহ) তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়।
Login To Comment