Silicon Carbide. সিলিকন কার্বাইড উচ্চ তাপমাত্রা এবং / বা উচ্চ ভোল্টেজ যেমন শিখা ইগনিটার, প্রতিরোধের উত্তাপ এবং কঠোর পরিবেশের বৈদ্যুতিন উপাদানগুলিতে অপারেটিং সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক ডিভাইসেও ব্যবহৃত হয়।
সিলিকন কার্বাইড (SiC), কার্বোরান্ডাম নামেও পরিচিত, হল সিলিকন এবং কার্বন ধারণকারী একটি অর্ধপরিবাহী। এটি প্রকৃতিতে অত্যন্ত বিরল খনিজ ময়সানাইট হিসাবে দেখা যায়। একটি ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম হিসাবে ব্যবহারের জন্য 1893 সাল থেকে সিন্থেটিক SiC পাউডার ব্যাপকভাবে উত্পাদিত হয়েছে। সিলিকন কার্বাইডের দানাগুলিকে সিন্টারিং করে একত্রে বন্ধন করা যেতে পারে যাতে খুব শক্ত সিরামিক তৈরি হয় যা উচ্চ সহনশীলতার প্রয়োজন হয় এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যেমন গাড়ির ব্রেক, গাড়ির ক্লাচ এবং বুলেটপ্রুফ ভেস্টে সিরামিক প্লেট। সিলিকন কার্বাইডের বড় একক স্ফটিক লেলি পদ্ধতিতে জন্মানো যেতে পারে এবং সেগুলিকে কৃত্রিম ময়সানাইট নামে পরিচিত রত্নগুলিতে কাটা যেতে পারে।
সিলিকন কার্বাইডের ইলেকট্রনিক প্রয়োগ যেমন আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড (এলইডি) এবং প্রাথমিক রেডিওতে ডিটেক্টর প্রথম প্রদর্শিত হয়েছিল 1907 সালের দিকে। SiC সেমিকন্ডাক্টর ইলেকট্রনিক্স ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত হয় যেগুলি উচ্চ তাপমাত্রা বা উচ্চ ভোল্টেজ বা উভয়েই কাজ করে।
শিল্পকলায়, উপাদানের স্থায়িত্ব এবং কম খরচের কারণে আধুনিক ল্যাপিডারিতে সিলিকন কার্বাইড একটি জনপ্রিয় ঘষিয়া তুলিয়াছে। উত্পাদনের ক্ষেত্রে, এটি ক্ষয়কারী মেশিনিং প্রক্রিয়া যেমন নাকাল, হোনিং, ওয়াটার-জেট কাটিং এবং স্যান্ডব্লাস্টিংয়ের মতো কঠোরতার জন্য ব্যবহৃত হয়। সিলিকন কার্বাইডের কণাগুলোকে কাগজে স্তরিত করে স্যান্ডপেপার এবং স্কেটবোর্ডে গ্রিপ টেপ তৈরি করা হয়।
1982 সালে অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড এবং সিলিকন কার্বাইড হুইস্কারের একটি ব্যতিক্রমী শক্তিশালী যৌগ আবিষ্কৃত হয়েছিল। এই ল্যাবরেটরি-উত্পাদিত যৌগটিকে একটি বাণিজ্যিক পণ্যে তৈরি করতে মাত্র তিন বছর সময় লেগেছে। 1985 সালে, এই অ্যালুমিনা এবং সিলিকন কার্বাইড হুইস্কর-রিইনফোর্সড কম্পোজিট থেকে তৈরি প্রথম বাণিজ্যিক কাটিয়া সরঞ্জাম বাজারে আনা হয়েছিল।
Login To Comment